法一样在硅化石墨表面有一层较厚的碳化硅层，这层较厚的碳化硅层，应该就是热裂情况严重的元凶。”
这句话，高振东也是有依据的，国产srm材料的公开论文中，就提到过仿制c-17δ过程中，解决的最大问题就是渗硅层过厚而产生的热裂问题，只是没有说用的什么手段。
在高振东看来，殊途同归，自己提的这个方案，应该也是能解决这个问题的。
段工一听大喜，行家一出手，就知有没有，这几句话句句打在要害上，一听真有新的工艺方法，连忙追问：“高主任，那你说的这个液相渗硅法，具体是怎么弄？”
高振东一点不藏私：“碳化硅和硅配比3:2作为硅源原料，反应温度1600，真空环境下反应0.5h，你看，是不是很简单？”
此话一出，段工差点没一笔杆子扔过去，对对对，你说得都对，是很简单。
不过想想，这个办法真的是很简单啊，甚至都想不出有什么能比这个更简单的了，如果能有效，那可就太好了，成本是真的低。
高振东没有给段工扔笔杆子的机会，继续说道：“这样，顺便能解决你们的第二个问题，氧化铝的使用问题。”
“氧化铝？”
“没错，氧化铝虽然理论上能细化sic晶粒，使碳化硅层更加致密，但实际上，氧化铝过量时反应会产生大量气体，这些气体逸出的时候，会破坏碳化硅层的致密性，对硅化石墨的性能产生不利影响，这也会降低你们成品的性能。”
这下碳研院的人是明白这高主任是个真正的高手，碳研院其他技术人员双眼闪着小星星，看着两位大佬交流，运笔如飞。
高振东接下来的话，让碳研院的人有点很不好意思：“接下来，我再说第三个问题。”
啊，我们的技术这么多问题吗？哪儿哪儿都是问题，这都第三个了，惭愧惭愧啊。
段工一脸惭愧：“高主任，您继续说。”
高振东指着记录上的碳颗粒参数道：“我建议你们把碳颗粒的直径提高一点，提到1.x毫米，同时，不要用紧致的高密度碳颗粒，用疏松一点的。”
碳研院的一堆技术员心里有疑问，但是不敢说话，还是段工问了出来：“这不是降低致密性，降低强度了吗？”
高振东摇摇头：“并不是，你要考虑到液相渗硅法是在石墨内部生成硅化石墨，这些疏松的空隙，正好是碳化硅最好的容身之处，这有利
点击读下一页,继续阅读 打小就清澈 作品《四合院：我边做科研边吃瓜》第110章 高主任面前，怎么我们都是问题？（3k）